碳化硅作為第三代寬禁帶半導體材料，具有更寬的禁帶寬度、更高的擊穿電場、更高的熱導率、更大的電子飽和漂移速度以及更高的抗輻射能力，是制造高溫、高頻、大功率半導體器件的理想材料

***覆蓋，給予“增持”評級。碳化硅因材料特性帶來器件的性能優勢，直擊新能源行業的發展痛點，并將緩解電動車的“里程焦慮”與“充電焦慮”，預計碳化硅功率器件滲透率將快速提升。***覆蓋第三代半導體行業，給予“增持”評級。我們重點推薦碳化硅IDM龍頭三安光電（

一個年復合增速30%的市場，碳化硅處于爆發前夜，國內企業迎來突破口。目前，硅是制造半導體芯片和器件的***主要原料，90%以上的半導體產品都是以硅為襯底制作的。然而由于材料本身特性的限制，硅基功率器件已漸漸難以滿足5G、新能源車、高鐵等高功率高頻性能的要求。東興證券指出，第三代半導體碳化硅有望替代硅，成為制備高壓及高頻器件新的襯底材料，目前正處在爆發前夜。

淄博晟業新材料科技有限公司是集科研、開發、生產制造、銷售施工服務-一體的現代化企業。專業反應燒結碳化硅陶瓷生產、研發企業，所生產產品具有高強度，高硬度，耐高溫，耐磨損，耐腐蝕，抗氧化，抗熱震性能好，導熱好，熱效率高等特點。產品分類碳化硅梁、碳化硅輥棒、碳化硅脫硫噴嘴